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元件参数资料
>
参数目录42475
> IRFBE30SPBF MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
型号:
IRFBE30SPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFBE30SPBF PDF
产品目录绘图
IR(F,L,Z) Series Side 1
IR(F,L,Z) Series Side 2
标准包装
1,000
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3 欧姆 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
78nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
管件
产品目录页面
1527 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
*IRFBE30SPBF
查看IRFBE30SPBF代理商
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